AQS-HB-6045 Лазерный станок для резки твёрдых и хрупких материалов
AQS-HB-6045 Лазерный станок для резки твёрдых и хрупких материалов высокой точности – микронная резка керамики, сапфира, алмаза и вольфрамовой стали
AQS-HB-6045 — это платформа микромеханической обработки с использованием волоконного лазера, разработанная для плоских и регулярных поверхностей деталей из материалов с высокой твёрдостью и хрупкостью, таких как керамика на основе оксида алюминия/циркония, сапфир, алмаз, кремний, германий, арсенид галлия и вольфрамовая сталь. Она обеспечивает ультра-стабильную резку с узким пропилом и минимальной термозоной воздействия на заготовках размером до 300 × 300 мм.
Система сочетает в себе собственно разработанную прецизионную платформу прямого привода с фирменными режущими головками и CAM-программным обеспечением, что обеспечивает стабильные и воспроизводимые результаты в требовательных процессах полупроводниковой, электронной и прецизионной инженерии.
Сферы применения
AQS-HB-6045 выполняет лазерную резку, сверление, прорезание пазов и нанесение рисок на плоских и регулярных поверхностях компонентов, изготовленных из твёрдых и хрупких подложек (керамика, сапфир, алмаз, вольфрамовая сталь и др.). Типичные области применения охватывают полупроводниковые подложки, микромеханические детали и прецизионные электронные компоненты.
Преимущества
- Ширина пропила от 15 до 30 мкм, поддержка миниатюрных геометрий.
- Высокая точность обработки до ≤ ±10 мкм для стабильного контроля размеров.
- Гладкие резы с малой термозоной воздействия и сколами кромок < 15 мкм для снижения последующей обработки.
- Минимальный размер изделия до 100 мкм для настоящего изготовления микроэлементов.
Высококачественная обработка
Волоконный лазерный источник станка (1030–1070 нм) и оптимизированная оптика обеспечивают чистые кромки и целостность поверхности на хрупких материалах. При толщине стенки до 0–2,0 ± 0,02 мм процесс сохраняет качество и защищает чувствительные подложки от термического напряжения.
Преимущества:
- Кромки без заусенцев и глянцевые поверхности реза, сводящие к минимуму последующую полировку.
- Высокая точность позиционирования: точность позиционирования до ±3 мкм (X/Y) с повторяемостью до ±1 мкм (X/Y), поддерживающая высокую производительность и гибкое производство.
Высокая адаптивность
Помимо резки, AQS-HB-6045 поддерживает сверление, прорезание пазов и нанесение рисок на алюминиевой оксиде, диоксиде циркония, нитриде алюминия, нитриде кремния, кремнии, сапфире, алмазе, арсениде галлия, вольфрамовой стали и других материалах — охватывая основные твёрдые и хрупкие подложки, используемые в электронике и оптике.
Аппаратные варианты включают гранитные или алюминиево-гранитные балки, гранитное основание и собственную разработку — прямоприводный двухприводный стол. Опционально доступны двухстанционная компоновка, визуальное позиционирование, автоматическая загрузка/разгрузка, динамический мониторинг процесса, модульная система пылеудаления, вакуумные/сотовые/натяжные приспособления, а также собственное 2D/2,5D/3D CAM-ПО, позволяющее адаптировать систему под ваш процесс.
Гибкий дизайн
Система выполнена в эргономичном, компактном дизайне и с открытой философией управления, благодаря чему операторы работают через интуитивный интерфейс, а инженеры могут расширять возможности по мере изменения требований.
Ключевые особенности:
- Модульная конфигурация программного и аппаратного обеспечения для персонализированных функций и интеллектуального управления производством.
- Выбор лазерных опций (например, CW 1000 Вт; QCW 150/300/450 Вт) для балансировки производительности и качества кромки на различных материалах.
Техническая сертификация
AQS-HB-6045 производится в рамках сертифицированных систем качества, включая ISO 9001 и IATF 16949, что обеспечивает стабильное производство и прослеживаемость для регулируемых отраслей.
Образец отображения
Обрабатываемые материалы:
- Оксид алюминия Инженерная керамика (Al₂O₃) с высокой твёрдостью, химической стойкостью и отличной электрической изоляцией. Подходит для тонкой и чистой лазерной резки с минимальными сколами при оптимизированных параметрах.
- Цирконий Упрочнённая керамика (ZrO₂) с высокой трещиностойкостью и устойчивостью к термоударам. Идеальна для прецизионных медицинских и промышленных деталей; требует тонкого контроля, чтобы избежать микротрещин.
- Нитрид алюминия Керамика с очень высокой теплопроводностью и высокой электрической изоляцией. Широко используется для подложек и тепловых распределителей; при лазерной резке выигрывает от использования инертного вспомогательного газа.
- Нитрид кремния Высокопрочная и износостойкая керамика (Si₃N₄), устойчивая к термоциклированию. Обеспечивает лазерную резку с узким пропилом для подшипников, турбин и электронных компонентов.
- Алмаз Ультратвёрдый материал с высокой теплопроводностью для износостойких деталей и штампов. Наилучшие результаты достигаются при обработке ультракороткоимпульсными или зелёными лазерами для ограничения графитизации и повреждения кромок.
- Сапфир Монокристаллический оксид алюминия с оптической прозрачностью и исключительной стойкостью к царапинам. Применяется для окон и подложек светодиодов; лучше поглощает на зелёных и УФ-волнах, обеспечивая чистые кромки.
- Кремний Полупроводник с хорошим поглощением в ИК-диапазоне, широко используемый в пластинах и МЭМС. Поддерживает точное лазерное нанесение рисок и резку с небольшой термозоной воздействия.
- Германий Хрупкий полупроводник для ИК-оптики с высоким поглощением в ИК-диапазоне и высоким показателем преломления. Требует тщательного термоконтроля для предотвращения растрескивания.
- Арсенид галлия Составной полупроводник для СВЧ- и оптоэлектроники. Хрупкий, при обработке образует опасную пыль — требуется система пылеудаления; зелёные/УФ-лазеры помогают контролировать зону термического воздействия.
- Вольфрамовая сталь Износо- и термостойкая инструментальная сталь, легированная вольфрамом (часто быстрорежущая или твердосплавная). Требует высокой плотности мощности и правильного вспомогательного газа для получения кромок без окисления и трещин.
Характеристики лазера:
- Волоконно-оптический лазер
- Длина волны: 1030~1070±10нм
- Варианты мощности: CW1000W, QCW150W, QCW300W, QCW450W
- Ширина шва резки: 15~30 мкм
- Толщина стенки материала: 0~2,0±0,02 мм
Область применения:
- Лазерная микрообработка материалов высокой твердости и высокой хрупкости
- Обработка плоских и правильных поверхностей инструментов из керамики, сапфира, алмаза, вольфрамовой стали и др.
Возможности обработки:
- Высокая точность обработки: ≤±10 мкм
- Гладкий разрез с минимальной зоной термического воздействия
- Сколы по краям: <15 мкм
- Минимальный размер продукта: 100 мкм
Обслуживаемые отрасли:
- Производство полупроводников
- Производство электроники
- Точное машиностроение
Производительность и эффективность
Максимальные рабочие скорости:
- Оси X, Y1, Y2: 1000 мм/с
- Ось Z: 50 мм/с
Точность позиционирования:
- ±3мкм (X, Y1, Y2)
- ±5мкм (Z)
Повторяемость:
- ±1мкм (X, Y1, Y2)
- ±3мкм (Z)
Расширенные функции
- Собственная разработка — платформа прямого привода с точным управлением
- Дополнительные системы визуального позиционирования и динамического мониторинга
- Модульные воздуховоды для подачи и удаления пыли
- Различные варианты крепления: вакуумная адсорбция, сотовые панели, натяжные рамы
Сертифицированное качество
- ISO9001
- IATF16949
Совершенство дизайна
- Эргономичный и компактный дизайн
- Гибкая конфигурация оборудования и программного обеспечения для индивидуальных потребностей
- Удобный интерфейс с программными системами CAM собственной разработки 2D, 2.5D и 3D
